Nano SIM卡与微型卡二切三切工艺及卡座制造技术研究

本文系统梳理了Nano SIM卡与微型卡二切三切工艺的技术特点,分析了模块损坏、铳切力不足等核心问题解决方案,并探讨了高精度卡座制造技术的发展趋势。

一、SIM卡微型化演变与技术需求

自2010年Micro SIM卡(15mm×12mm)取代传统Mini SIM卡以来,通信设备对SIM卡尺寸的压缩需求持续增强。Nano SIM卡(12.3mm×8.8mm)通过厚度减薄至0.67mm实现了体积缩小44%,其接触点阵列重新设计使接触阻抗降低15%,为4G/5G设备的高密度集成提供了物理基础。

Nano SIM卡与微型卡二切三切工艺及卡座制造技术研究

尺寸缩减带来三方面技术挑战:

  • 材料强度与结构稳定性平衡
  • 多规格兼容的切割工艺设计
  • 高密度电路保护机制

二、二切三切卡核心工艺解析

二切三切工艺通过嵌套式模具设计实现单卡坯料的多规格兼容,其核心工序包含:

  1. 精密冲压:采用±5μm公差模具进行基材成型
  2. 分层切割:通过激光-机械复合切割完成Micro到Nano的过渡
  3. 触点封装:使用UV固化胶进行3D曲面封装

该工艺可使单张标准卡坯料产出6个Nano SIM功能单元,材料利用率提升至92%以上。

三、关键工艺难点与创新解决方案

在微型化进程中,模块内部断裂和铳切力不足成为主要技术瓶颈。实验数据显示,传统模具工艺的断线率高达3.7%,而采用镂空模具设计后降至0.8%以下。

表1 不同模具设计的性能对比
参数 传统模具 镂空模具
断线率 3.7% 0.8%
铳切力(N) 5.2 7.8
寿命(万次) 15 22

通过正交试验发现,当铳切角度控制在82°±0.5°、冲压速度保持3.2m/s时,可确保卡体脱离力稳定在7.5-8.2N的合格区间。

四、高精度卡座制造技术发展

新型卡座采用弹性接触片阵列设计,触点间距压缩至0.35mm的同时保持0.02N/mm²的接触压力。通过引入:

  • 镍钯金复合镀层技术
  • 自清洁微结构表面
  • 防静电导流槽设计

使卡座插拔寿命突破5万次,信号传输稳定性提升40%。

SIM卡微型化进程推动着精密制造技术的持续革新。二切三切工艺通过模具创新和参数优化解决了微型化带来的结构强度问题,而卡座技术的突破则为高密度设备集成提供了可靠保障。未来随着柔性电子技术的发展,可折叠SIM卡及其配套连接技术将成为新的研究热点。

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