一、晶圆加工工艺解析
SIM卡芯片制造始于高纯度硅晶圆制备，核心工艺包括：
- 硅锭提纯：采用CZ直拉法生成单晶硅棒，纯度达到99.9999%以上
- 晶圆切片：通过金刚石线锯将硅锭切割为厚度0.5-1mm的薄片
- 表面抛光：化学机械抛光(CMP)实现纳米级表面平整度
| 参数 | 标准值 |
|---|---|
| 直径 | 150-300mm |
| TTV | <3μm |
| 表面粗糙度 | <0.5nm |
二、芯片制造核心技术
在完成晶圆制备后，通过以下工艺形成电路结构：
- 光刻工艺：采用DUV光刻机实现微米级电路图案转移
- 离子注入：硼/磷掺杂形成PN结，控制导电特性
- 薄膜沉积：PECVD技术生成二氧化硅绝缘层
SIM卡特有的安全模块需增加三层金属互连结构，采用铜镶嵌工艺提升信号完整性。
三、封装工艺流程详解
芯片封装包含关键步骤：
- 晶圆减薄：机械研磨将厚度降至100μm以下
- 金线键合：25μm金线连接芯片与基板焊盘
- 模塑封装：环氧树脂转移成型保护电路结构
先进封装采用倒装焊技术，通过锡球阵列实现更小封装尺寸。
四、质量检测与成品处理
最终环节包含：
- X射线检测：排查金线短路/断裂缺陷
- 功能测试：验证ISO/IEC 7816协议兼容性
- 激光打标：永久性标识产品信息
成品需通过85℃/85%RH加速老化测试，确保10年使用寿命。
SIM卡芯片制造融合半导体微加工与先进封装技术，需严格控制工艺参数。随着eSIM技术发展，晶圆级封装(WLP)和系统级封装(SiP)将成为主流方向，推动芯片厚度向0.3mm以下演进。
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